HELiA

最新一代电池片镀膜系统

HELiA是最新一代高效异质结电池片镀膜系统。

生产异质结(HJT)太阳能电池片的核心设备是HELiAPECVD和HELiAPVD。这两套系统之间的技术匹配性堪称完美,每小时硅片总产能高达2,400片。

HELiA是“高效低杂质设备”的简称,该平台用于完成两种异质结电池片镀膜工艺。 HELiAPECVD(带S-Cube™反应器)用于沉积本征非晶硅膜层作为钝化层,并沉积p-掺杂和n-掺杂非晶硅膜层。HELiAPVD使用透明导电氧化物(TCO)完成双面镀膜,无需翻转硅片。

由于工作温度低,异质结技术可谓是超薄硅片的理想选择。

为您带来的效益:

  • 异质结技术集非晶硅(薄膜)与单晶硅片的优势于一身
  • 电池片转换效率超过24%,并且还有提升潜力
  • 生产工序减少,只需6步
  • 出众的温度系数(-0.25%/K),大幅提升了发电量
  • 非常适合薄片加工,可与SmartWire智能网栅连接技术结合使用

两款HELiA设备的更多详情

HELiAPECVD - 钝化能力更强

高品质非晶硅(a-Si)层是生产高效率异质结太阳能电池的关键因素。在异质结电池片生产过程中,HELiAPECVD可用于本征非晶硅膜层的钝化和掺杂非晶硅膜层的沉积。

非晶硅膜层的沉积通过PECVD(等离子体增强化学气相沉积)工艺完成。梅耶博格为此开发了一种获得专利的特殊等离子反应器 - S-Cube™反应器。这确保了非晶硅膜层均匀地沉积,以及获得卓越的电和沉积性能。

HELiAPVD - 更低成本的TCO涂层

异质结电池片通过透明导电氧化物(TCO)实现双侧的粘合,并使用PVD(物理气相沉积)工艺沉积。

在HELiAPVD 的溅射系统中,不同的接触层(包括多层和金属层)可以在硅片正反面连续沉积,在各个镀膜工艺间无需翻转硅片。通过使用圆柱形的溅射磁控管,实现了更高的目标利用率,从而确保了更具成本效益的镀膜工艺。

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