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ETP PECVD

ETP PECVD

Mit der Expanding-Thermal-Plasma-Technologie lassen sich einzigartige Abscheidungsraten von bis zu 240 μm/Min. erzielen, die niedrige Betriebskosten aufweisen und einen geringen Platzbedarf aufweisen. Angewendet wird das Verfahren auf Sheet-to-Sheet- wie auch auf Roll-to-Roll-PECVD-Anlagen.

Diese hohen Abscheidungsraten beruhen darauf, dass das Plasma von einer vorgelagerten Plasmaquelle bei Überdruck  erzeugt wird. Bei so hohen Druckwerten ist die Plasmaproduktion sehr effektiv (mit Ionisierungsraten von bis zu 10% und Dissoziationsraten von bis zu 100% bei Verwendung molekularer Gase).

Sobald das Plasma in einen nachgelagerten Niederdruckbereich expandiert, entstehen umfangreiche Ströme reaktiver Ionen und/oder neutraler Atome. In dieser Region kann die grosse „Menge an Reaktivität“ genutzt werden, um grosse Volumenströme gasförmiger Abscheidungsvorprodukte zu dissoziieren (NH3, SiH4, H2, N2O, DEZ, TMA usw.).

Die räumliche Trennung der ETP-Technologie vereinfacht zudem die Optimierung der Prozessbedingungen und bietet mehr Spielraum für Reaktor- und Substratdesign und -grösse. Zudem unterliegt das Substrat so gut wie keinem Ionenbeschuss, da keine Stromkopplung in das nachgelagerte Plasma erfolgt.

Mit multiplen ETP-Quellen wird eine hervorragende Beschichtungshomogenität erzielt. Typische Beschichtungsmaterialien sind SiNx, SiOx, amorphes Si und ZnO(Al) für optische Beschichtungen, für elektrisch leitende Beschichtungen oder für Schutzschichten.

Anwendungsgebiete sind die Dünnschichtverkapselung dünner und biegsamer Elektronikkomponenten und die Beschichtung von Anodenfolien mit amorphem Silizium für Lithium-Ionen-Batterien der nächsten Generation.
 
Unsere patentierte Expanding-Thermal-Plasma-Technologie wurde in Zusammenarbeit mit der Technischen Hochschule Eindhoven entwickelt.

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