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HELiA

Zellbeschichtung der neusten Generation

HELiA ist die neuste Generation von hoch effizienter Zellbeschichtung, namens Heterojunction.

HELiAPECVD und PVD bilden die Kernkomponenten für die Herstellung von Solarzellen mit Heterojunction Technologie (HJT). Die Anlagen sind sowohl technologisch als auch hinsichtlich ihres Bruttodurchsatzes von 2'400 Wafern pro Stunde optimal aufeinander abgestimmt. 

HELiA steht für "High Efficiency Low impurity Apparatus" und ist eine Plattform für zwei Beschichtungs-Prozesse in der Zellbeschichtung mittels Heterojunction. Die HELiAPECVD mit dem S-CubeTM trägt die intrinsische Schicht a-Si für die Passivierung sowie die amorphen und dotierten a-Si Schichten p und n auf. Die HELiAPVD ist zuständig für die Vorder- und Rückseitenbeschichtung mittels leitendem TCO - ohne, dass die Wafers umgedreht werden müssen.
Dank den niedrigen verwendeten Temperaturen ist Heterojunction die ideale Technologie für dünnste Wafers.

Ihre Vorteile

  • Heterojunction Technologie kombiniert die exzellenten Absorptions- und Passivierungseigenschaften von amorphem Silizium (Dünn-Film) mit den Vorteilen von monokristallinen Siliziumsolarzellen
  • Höchste Zell-Effizienz von mehr als 23% und weiter wachsendem Potential
  • Reduzierter Produktionsprozess mit nur 6 Schritten
  • Signifikante Steigerung des Energieertrags dank einem hervorragenden Temperaturkoeffizienten von -0.25%/K
  • Ideal für dünne Wafers und kombinierbar mit SmartWire Connection Technology (SWCT)

 

 

 

 

 

Kontakt

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07.11. - 08.11.2017
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Weitere Details zu den beiden HELiA-Maschinen.

HELiAPECVD - Maximale Passivierung

Ein Schlüssel für die Produktion von hocheffizienten Heterojunction-Solarzellen sind hochwertige amorphe Siliziumschichten (a-Si). Mit dem Anlagentyp HELiAPECVD können sowohl intrinsische a-Si-Schichten für die Passivierung als auch dotierte a-Si Schichten für die Herstellung von Heterojunction-Zellen abgeschieden werden.

Die Abscheidung der a-Si-Schichten erfolgt mittels PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)-Prozess. Dafür wurde von Meyer Burger ein spezieller, patentierter Plasmareaktor - der S-Cube - entwickelt. Dieser garantiert eine homogene Abscheidung von a-Si-Schichten mit ausgezeichneten Passivierungs- und elektrischen Eigenschaften.

HELiAPVD - Low Cost TCO-Beschichtung

Die Kontaktierung von Heterojunction-Zellen erfolgt beidseitig mittels transparenter, leitfähiger Oxidschichten (TCO), die mittels PVD (Physical Vapour Deposition)-Prozess abgeschieden werden.

In der HELiAPVD Sputteranlage können nacheinander verschiedene Kontaktschichten (auch Mehrfachschichten und Metallschichten) auf der Vorder- und Rückseite der Wafer abgeschieden werden, wobei zwischen den Beschichtungsprozessen kein Wenden der Wafer erforderlich ist. Durch den Einsatz von zylinderförmigen Sputtermagnetrons wird eine hohe Targetausnutzung erreicht, was einen kosteneffizienten Beschichtungsprozess gewährleistet. 

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