PECVD

Das PECVD-Verfahren nutzt ETP- (Expanding Thermal Plasma) oder LMW-Plasmaquellen (lineares Mikrowellen-Plasma) für die Abscheidung von Beschichtungen mit optischen oder elektronischen Eigenschaften oder Barrierefunktionen. Dank unterschiedlichster Ausgangstoffe lassen sich dünne Schichten von SiNx, SiOx, aSi, SiC, AlOx, ZnO, DLC oder aC aufbringen.

PECVD-Verfahren für die Abscheidung von Beschichtungen mit optischen Eigenschaften

Bei der PECVD (plasma-enhanced chemical vapour deposition) erzeugt man mithilfe elektrischer Energie eine Glimmentladung (Plasma) und überführt deren Energie in ein Gasgemisch. Dadurch entstehen im Gasgemisch reaktive Radikale, Ionen, neutrale Atome und Moleküle sowie andere hochangeregte Spezies. Durch Interaktion dieser atomaren und molekularen Fragmente mit einem Substrat wird letzteres je nach Art der Wechselwirkung entweder geätzt oder beschichtet. Da die reaktiven und energetischen Spezies durch Kollision in der Gasphase selbst entstehen, braucht das Substrat nicht erhitzt zu werden. Dadurch kann die Beschichtung von Substraten bei niedrigeren Temperaturen erfolgen als beim üblichen CVD-Verfahren. Dies ist ein wesentlicher Vorteil der PECVD.

Unsere Anlagen nutzen Niederdruckverfahren zur Abscheidung von dünnen Schichten auf planen als auch auf 3-dimensionalen Substratoberflächen. Es können Einzelschichten als auch komplexe Mehrlagenschichten aus sehr unterschiedlichen Schichtmaterialien hergestellt werden.

Kontakt

Sales MicroSystems

+49 3723 671 234

Sales Meyer Burger (Netherlands) B.V.

+31 (0) 40 2581 581

Unsere Produkte