Heterojunction

Die Heterojunction-Technologie (HJT) verbindet die Vorteile kristalliner Silizium-Solarzellen mit denen von Dünnschichttechnologien. Die Solarzellen erzielen dadurch höhere Wirkungsgrade bei gleichzeitig geringeren Produktionskosten.

Herstellungsprozess HJT Solarzellen

Für die Herstellung der elektrischen Strukturen von Heterojunction-Zellen werden auf einen n-leitenden Siliziumwafer beidseitig dünne Schichten aus dotiertem und intrinsischem, amorphen Silizium sowie transparente, leitfähige Oxidschichten (TCO) zur Aufnahme des erzeugten Stroms aufgebracht.

Aufgrund der hohen Lichtausbeute und der hervorragenden Passivierungseigenschaften des amorphen Siliziums ist es möglich, Wirkungsgrade von mehr als 24 % zu erreichen. Darüber hinaus haben Heterojunction-Zellen einen deutlich niedrigeren Temperaturkoeffizienten als konventionelle Siliziumsolarzellen.

Weitere Kostenvorteile ergeben sich aus dem relativ einfachen Niedertemperatur-Herstellkonzept, das deshalb wirtschaftlich attraktiv ist, weil es Energie spart und weniger Produktionsschritte erforderlich sind.

Heterojunction Technologie Factsheet (English)

Produktion von Heterojunction Solarzellen

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