Spatiale Atomlagenabscheidung (s-ALD)

Die Atomlagenabscheidung (ALD, Atomic Layer Deposition) beruht auf der zyklischen Exposition eines Substrats gegenüber verschiedenen Vorprodukten, wobei in jedem Zyklus eine Schicht mit der Dicke eines einzelnen Atoms ausgebracht wird. Dies garantiert eine absolute Kontrolle der Schichtdicken und eine äusserst hohe Gleichmässigkeit der Schichten ohne Poren oder Pinholes bei gleichzeitig hervorragender Konformität. Das ALD-Verfahren läuft bei Atmosphärendruck ab, sodass bei dieser Technologie keine Kosten für Vakuumanlagen wie Pumpen oder Ladeschleusen anfallen.

Die spatiale ALD (s-ALD) ist eine verfeinerte Form der herkömmlichen ALD mit einer erheblich verbesserten Abscheiderate. s-ALD kommt ohne das mehrfache Befüllen und Spülen der Prozesskammer aus und nutzt eine Vielzahl von Vorläuferschlitzen, unter denen das Substrat mit hoher Geschwindigkeit durchgeführt wird. Gasführende und ableitende Schlitze in den Vorläuferbereichen stellen sicher, dass sich die Vorläufer nicht mischen und dass parasitäre Abscheidungen vermieden werden.

Den gleichen Grundsatz nutzen wir auch bei unseren rotierenden spatialen ALD-Anlagen, wobei das Anbringen der Vorläuferschlitze auf der rotierenden Trommel die Abscheideraten zusätzlich verbessert. Das flexible Substrat wird in Gegenrichtung über die Drehtrommel geführt und dabei den Vorläuferstoffen wiederholt ausgesetzt, sodass bei der Rotation zahlreiche einzelne Atomlagen ausgebracht werden.

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