空间原子层沉积(s-ALD)

原子层沉积(ALD)技术通过使基片循环接触不同前体,在每个周期内形成单原子层。这样就能确保绝对精确的厚度控制、极佳的膜层均匀性(无孔隙或穿孔)和一致性,即使镀膜表面的宽高比较高,也丝毫不受影响。原子层沉积是一种常压工艺,因此该技术无需使用抽真空装置(抽气泵和进/出料腔等),从而降低运行成本。

空间原子层沉积是基于传统原子层沉积的一种增强型技术,可将沉积速度提高若干个数量级。在空间原子层沉积工艺中,无需填充和冲洗反应腔,而是使基片高速通过大量的前体供应裂缝。前体区域之间设有气体密封和排气装置,以防止前体混合,从而避免寄生沉积。

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空间原子层沉积(s-ALD)