离子束沉积

半导体制造和高精度光学元件对表面各膜层的均匀性、质量和功能性的要求正在不断提高。在离子束沉积工艺中,离子束源发射的离子束轰击溅射靶,击出二次粒子。这些粒子按照特定的几何排列沉积在衬底表面,形成一道超薄膜层。

对于离子束沉积(IBD)这种基础工艺,还有待进一步开发,以满足企业和研究机构的不同需求。适用此类用途的其他工艺全都可以划归为离子束辅助沉积(IBAD)工艺。其中,有一种IBAD工艺被称为“双离子束沉积”(DIBD)。针对该工艺,梅耶博格已经提出了各种版本和不同的系统概念。

其他的替代工艺包括磁控溅射(真空镀膜工艺)和反应离子刻蚀(结构化工艺)。经比较后发现,离子束工艺的沉积速率通常较低。然而,梅耶博格所用的离子束工艺,其主要优势在于:工艺参数具有无可比拟的确定性和可再现性,膜厚均匀性和表面特性极为出色。

因此,梅耶博格的离子束设备提供了一种高端解决方案,适用于要求苛刻的膜层沉积和结构化应用,而这些应用是替代工艺的质量无法满足的。对工业领域而言,这不仅适用于目前几乎所有的纳米级精度表面处理工艺,而且适用于复杂膜层系统的沉积。

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