CDE

Plasmaätzverfahren (PE engl. Plasma Etching) mit eigenen entwickelten Plasmaquellen

Bei den chemischen Trockenätzverfahren (engl. chemical dry etching, CDE) wird eine chemische Reaktion zwischen den neutral Teilchen/Molekülen und der Oberfläche des Substrates ausgenutzt.

Die neutralen Atome oder Moleküle werden durch ein Plasma in die Reaktionskammer geleitet und strömen über das Substrat (z. B. Silicium-Wafer). Dort reagieren sie mit den an der Oberfläche befindlichen Atomen. Es bilden sich flüchtige, gasförmige Reaktionsprodukte, die über eine Vakuumpumpe abgesaugt werden.

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